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Reines Tantal-Sputter-Ziel

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Bereich: Guangdong
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Letztes Update: 2020-03-27 01:36
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Produktdetails

Reines Tantal-Sputter-Ziel

Tantal Sputtering Target wird durch EB-Schmelzen hergestellt. Es wird normalerweise für magnetische Aufzeichnungsmedien, Druckerkomponenten, Flachbildschirme, Optiken, Industrieglas und Dünnschichtwiderstände verwendet. Hochreines Tantal-Sputtertarget wird normalerweise für Halbleiteranwendungen verwendet. Die hohe natürliche Festigkeit von Tantal mit seinem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten und seine Fähigkeit, sowohl an Kupfer als auch an Silizium zu haften, machen es zur perfekten Wahl für eine Diffusionsbarriere, um die Wechselwirkung von Kupfer und Silizium zu verhindern.


XK ist ein professioneller Hersteller von Tantal-Sputtertargets mit verschiedenen Formen und Reinheiten, die hauptsächlich in der Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie eingesetzt werden. Dank der von uns verwendeten speziellen Umformverfahren besitzen unsere Tantal-Sputtertargets eine höhere Dichte, eine geringere durchschnittliche Partikelgröße sowie eine hohe Reinheit. Dadurch können Sie aufgrund höherer Sputtergeschwindigkeiten von einem schnelleren Prozess profitieren und sehr homogene Tantalschichten erhalten.


Die Flexibilität unseres Produktionsprozesses ermöglicht es, die Mikrostruktur unseres Beschichtungsmaterials anzupassen, um den gewünschten Effekt zu erzielen. Wenn die Körner des Sputtertargets gleichmäßig ausgerichtet sind, kann der Benutzer von konstanten Erosionsraten und homogenen Schichten profitieren. Das Bild unten zeigt zwei typische mikroskopische Aufnahmen unseres Tantal-Sputtertargets, die durchschnittliche Korngröße < 100 μm.




Die chemische Reinheit ist entscheidend für Metallsputtertargets. Wenn die Reinheit höher ist, besitzen die Filme, die Sie erhalten haben, eine bessere elektrische Leitfähigkeit und minimieren die Partikelbildung während des PVD-Prozesses. Das folgende Formular enthält ein typisches Analysezertifikat für ein hochreines 3N5-Tantal-Sputtertarget.

Analysemethoden: 1. Metallische Elemente wurden unter Verwendung von ICP-OES analysiert. 2. Gaselemente wurden mit LECO analysiert.



PHYSIKALISCHE EIGENSCHAFTEN
PHASE - Fest
STD-ATOMGEWICHT - 180,94788 (2) g-mol -1
SCHMELZTEMPERATUR - 3290K, 3017C, 5463F
Siedetemperatur - 5731K, 5458C, 9856F
KRISTALLSTRUKTUR - Körperzentriert kubisch
ELEKTRISCHER WIDERSTAND - (20 ° C) 131 nΩ · m
THERMISCHE LEITFÄHIGKEIT - (300 K) 57,5 ​​W · m - 1 · K - 1
THERMISCHE ERWEITERUNG - (25 ° C) 6,3 µm · m - 1 · K - 1
ALLGEMEINE EIGENSCHAFTEN
SYMBOL - Ta
NUMMER - 73
ELEMENTKATEGORIE: - Übergangsmetalle
VERFÜGBARE REINHEITEN:
· Handelsqualität (ASTM)
· 3N 99,90% | 3N5 99,95%
· 4N 99,99% | 4N5 99,995%
· 5N 99,999%

GEMEINSAME SPEZIFIKATIONEN
· ASTM R05200
o »Elektronenstrahl geschmolzen (unlegiert)
· ASTM R05400
o »Pulvermetallurgiequalität (unlegiert)
· ASTM R05252
o »Tantal 2,5% Wolframlegierung
· ASTM R05255
o »Tantal 10% Wolframlegierung
· AMS 7849 Rev. E.
o »Elektronenstrahl geschmolzen
VERFÜGBARE LEGIERUNGEN:
· Tantal
· Tantal 2,5% Wolfram
· Tantal 7,5% Wolfram
· Tantal 10% Wolfram
· Tantal 40% Niob
· Tantal in Ofenqualität


http://de.ta-nb-w-mo.com/

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